FZT651

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Биполярные транзисторы - BJT NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.
DiodesZetex
Основные
ПроизводительDiodesZetex
Вес и габариты
base product numberFZT651 ->
число контактов3 + Tab
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.
Основные
ПроизводительDiodesZetex
Вес и габариты
base product numberFZT651 ->
число контактов3 + Tab
collector-emitter breakdown voltage60V
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)3A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 500mA, 2V
длина6.55мм
eccnEAR99
frequency - transition175MHz
Высота 1.65 мм
htsus8541.29.0075
количество элементов на ис1
максимальная рабочая частота175 МГц
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение эмиттер-база5 В
максимальное напряжение коллектор-база80 V
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер)60 В
максимальное напряжение насыщения база-эмиттер1.25 V
максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0,6 В
максимальное рассеяние мощности2 Вт
максимальный пост. ток коллектора3 A
maximum dc collector current3A
минимальная рабочая температура-55 °C
минимальный коэффициент усиления по постоянному току40
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
package / caseTO-261-4, TO-261AA
pd - power dissipation2W
power - max2W
размеры1.65 x 6.55 x 3.55мм
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-223
тип корпусаSOT-223
тип монтажаSurface Mount
тип транзистораNPN
transistor configurationОдинарный
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 300mA, 3A
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Ширина3.55 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль