FZT649TA, Trans GP BJT NPN 25V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT649TA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT NPN 25V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo: | 35 V |
| collector-emitter saturation voltage: | 400 mV |
| collector- emitter voltage vceo max: | 25 V |
| configuration | Single Dual Collector |
| configuration: | Single |
| continuous collector current: | 3 A |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo: | 7 V |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 1000 |
| gain bandwidth product ft: | 240 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| lead shape | Gull-wing |
| manufacturer: | Diodes Incorporated |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.25@100mA@1A |
| maximum collector base voltage | 35 V |
| maximum collector base voltage (v) | 35 |
| maximum collector cut-off current (na) | 100 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.3@100mA@1A|0.6@200mA@2A |
| maximum collector emitter voltage | 25 V |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 25 |
| maximum dc collector current | 3 A |
| maximum dc collector current: | 3 A |
| maximum dc collector current (a) | 3 |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum emitter base voltage (v) | 7 |
| maximum operating frequency | 240 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation | 2 W |
| maximum power dissipation (mw) | 3000 |
| minimum dc current gain | 70@50mA@2V|100@1A@2V|75@2A@2V|15@6A@2V |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style: | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| number of elements per chip | 1 |
| operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
| package / case: | SOT-223-4 |
| package type | SOT-223 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8001563416 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation: | 2 W |
| pin count | 4 |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| series: | FZT649 |
| standard package name | SOT |
| subcategory: | Transistors |
| supplier package | SOT-223 |
| tab | Tab |
| technology: | Si |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity: | NPN |
| transistor type | NPN |
| type | NPN |
| Время загрузки | 21:56:31 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
