Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsBipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Дата загрузки
21.02.2024
Вес и габариты
вес, г
10
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo
35 V
collector-emitter saturation voltage
600 mV
collector- emitter voltage vceo max
25 V
configuration
Single
continuous collector current
3 A
dc current gain hfe max
300
emitter- base voltage vebo
5 V
factory pack quantity
4000
gain bandwidth product ft
150 MHz
height
1.6 mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
length
6.5 mm
manufacturer
ON Semiconductor
maximum collector base voltage
35 V
maximum collector emitter voltage
25 V
maximum dc collector current
3 A
maximum emitter base voltage
5 V
maximum operating temperature
+150 °C
maximum power dissipation
2 W
minimum dc current gain
100
minimum operating temperature
-55 C
mounting style
SMD/SMT
mounting type
Surface Mount
number of elements per chip
1
package / case
SOT-223-4
package type
SOT-223(SC-73)
packaging
Cut Tape
партномер
8009885910
part # aliases
FZT649_NL
pd - power dissipation
2 W
pin count
3+Tab
product category
Bipolar Transistors-BJT
rohs
Details
series
FZT649
transistor configuration
Single
transistor polarity
NPN
transistor type
NPN
unit weight
0.003951 oz
Время загрузки
0:57:23
width
3.56 mm
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26