FZT600BTA, Darlington Transistors NPN Darlington

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT600BTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT600BTA, Darlington Transistors NPN Darlington
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный (BJT) транзистор NPN - Darlington 140V 2A 250MHz 2W Surface Mount SOT-223
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberFZT600 ->
частота перехода ft250МГц
collector emitter voltage max140В
continuous collector current
current - collector cutoff (max)10ВµA
current - collector (ic) (max)2A
dc current gain hfe min5000hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce10000 @ 500mA, 10V
dc усиление тока hfe5000hFE
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
квалификация-
линейка продукции-
максимальная рабочая температура150°C
maximum base emitter saturation voltage1.9 V
maximum collector base voltage160 V
maximum collector cut-off current10µA
maximum collector emitter saturation voltage1.2 V
maximum collector emitter voltage140 V
maximum continuous collector current2 A
maximum emitter base voltage160 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation2 W
minimum dc current gain10000
minimum operating temperature-55 °C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package typeSOT-223
партномер8005444057
pin count3+Tab
полярность транзистораNPN
power dissipation3Вт
power - max2W
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
стиль корпуса транзистораSOT-223
supplier device packageSOT-223
transistor configurationSingle
transistor typeNPN - Darlington
vce saturation (max) @ ib, ic1.2V @ 10mA, 1A
voltage - collector emitter breakdown (max)140V
Время загрузки0:08:29
width3.55mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль