FZT593TA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Вес и габариты
base product numberFZT593 ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
68
+
Бонус: 1.36 !
Бонусная программа
Итого: 68
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Вес и габариты
base product numberFZT593 ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 500mA, 5V
длина6.7 mm
eccnEAR99
frequency - transition50MHz
Высота 1.65 мм
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
непрерывный коллекторный ток1 A
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
package / caseTO-261-4, TO-261AA
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max2W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)50 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFZT593
supplier device packageSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)100V
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль