FZT558TA, Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 200 мА, 2 Вт, SOT-223, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT558TA
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP High Voltage
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberFZT558 ->
configurationSingle Dual Collector
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP High Voltage
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberFZT558 ->
configurationSingle Dual Collector
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)200mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 50mA, 10V
длина6.7 mm (Max)
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
frequency - transition50MHz
Высота 1.65 м
hts8541.29.00.75
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)0.9@5mA@50mA
maximum collector base voltage (v)400
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.2@2mA@20mA|0.5@6mA@50mA
maximum collector-emitter voltage (v)400
maximum dc collector current (a)0.2
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)3000
maximum transition frequency (mhz)50(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100@1mA@10V|100@50mA@10V|15@100mA@10V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)400 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.400 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток0.2 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package height1.6
package length6.5
package width3.5
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности2 W
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max2W
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)50 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFZT558
standard package nameSOT
supplier device packageSOT-223
supplier packageSOT-223
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typePNP
typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 6mA, 50mA
вес, г0.11
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)400V
Ширина3.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль