FZT558TA, Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT558TA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP High Voltage
Дата загрузки | 23.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.112 |
Высота | 1.65 mm (Max) |
Информация о производителе | |
Производитель | DIODES INC. |
Бренд | DIODES INC. |
Основные | |
automotive | No |
base product number | FZT558 -> |
configuration | Single Dual Collector |
current - collector cutoff (max) | 100nA |
current - collector (ic) (max) | 200mA |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 50mA, 10V |
длина | 6.7 mm (Max) |
eccn | EAR99 |
eccn (us) | EAR99 |
eu rohs | Compliant with Exemption |
frequency - transition | 50MHz |
hts | 8541.29.00.75 |
htsus | 8541.29.0075 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
конфигурация | Single |
lead shape | Gull-wing |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
material | Si |
maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.9@5mA@50mA |
maximum collector base voltage | 400 V |
maximum collector base voltage (v) | 400 |
maximum collector cut-off current (na) | 100 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.2@2mA@20mA|0.5@6mA@50mA |
maximum collector emitter voltage | -400 V |
maximum collector-emitter voltage (v) | 400 |
maximum dc collector current | -200 mA |
maximum dc collector current (a) | 0.2 |
maximum emitter base voltage | 5 V |
maximum emitter base voltage (v) | 7 |
maximum operating frequency | 50 MHz |
maximum operating temperature | +150 °C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation | 2 W |
maximum power dissipation (mw) | 3000 |
maximum transition frequency (mhz) | 50(Min) |
military | No |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum dc current gain | 100@1mA@10V|100@50mA@10V|15@100mA@10V |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting | Surface Mount |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 400 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 400 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
непрерывный коллекторный ток | 0.2 A |
number of elements per chip | 1 |
operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
package / case | TO-261-4, TO-261AA |
package height | 01.06.2024 |
package length | 06.05.2024 |
package type | SOT-223(SC-73) |
package width | 03.05.2024 |
packaging | Tape and Reel |
партномер | 8004841711 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - рассеивание мощности | 2 W |
pin count | 4 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | PNP |
power - max | 2W |
product category | Bipolar Power |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 50 MHz |
размер фабричной упаковки | 1000 |
reach status | REACH Affected |
rohs status | ROHS3 Compliant |
серия | FZT558 |
standard package name | SOT |
supplier device package | SOT-223 |
supplier package | SOT-223 |
tab | Tab |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | Diodes Incorporated |
transistor configuration | Single |
transistor type | PNP |
type | PNP |
упаковка / блок | SOT-223-4 |
vce saturation (max) @ ib, ic | 500mV @ 6mA, 50mA |
вид монтажа | SMD/SMT |
voltage - collector emitter breakdown (max) | 400V |
Время загрузки | 0:08:40 |
Ширина | 3.7 м |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26