FZT493TA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT493TA
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота1.65 mm (Max)
Высота 1.65 м
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 100V 1A 150MHz 2W Surface Mount SOT-223
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота1.65 mm (Max)
Высота 1.65 м
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
base product numberFZT493 ->
collector-emitter breakdown voltage100V
configurationSingle Dual Collector
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 250mA, 10V
длина6.7 mm (Max)
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
frequency - transition150MHz
hts8541.29.00.95
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.15@100mA@1A
maximum collector base voltage (v)120
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.3@50mA@500mA|0.6@100mA@1A
maximum collector-emitter voltage (v)100
maximum dc collector current1A
maximum dc collector current (a)1
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)2000
maximum transition frequency (mhz)150(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain30@1A@10V|80@500mA@10V|100@1mA@10V|100@250mA@10V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.6 V
непрерывный коллекторный ток1 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package height1.65(Max)
package length6.7(Max)
package width3.7(Max)
packagingTape and Reel
партномер8005820019
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation2W
pd - рассеивание мощности2 W
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max2W
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFZT493
standard package nameSOT-223
supplier device packageSOT-223
supplier packageSOT-223
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 100mA, 1A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)100V
Время загрузки0:08:44
Ширина3.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль