FZT491TA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT491TA
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота1.65 mm
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 60V 1A 150MHz 2W Surface Mount SOT-223
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота1.65 mm
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberFZT491 ->
частота перехода ft150МГц
collector emitter voltage max60В
configurationSingle Dual Collector
continuous collector current
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain hfe min80hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 500mA, 5V
dc усиление тока hfe80hFE
длина6.7 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
frequency - transition150MHz
hts8541.29.00.75
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
квалификация-
lead shapeGull-wing
линейка продукции-
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.1@100mA@1A
maximum collector base voltage80 V
maximum collector base voltage (v)80
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.5@100mA@1A|0.25@50mA@500mA
maximum collector emitter voltage60 V
maximum collector-emitter voltage (v)60
maximum dc collector current1 A
maximum dc collector current (a)1
maximum emitter base voltage5 V
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating frequency150 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation2 W
maximum power dissipation (mw)3000
maximum transition frequency (mhz)150(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain30@2A@5V|100@500mA@5V|80@1A@5V|100@1mA@5V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер160 mV
непрерывный коллекторный ток1 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package height01.06.2024
package length06.05.2024
package typeSOT-223
package width03.05.2024
packagingTape and Reel
партномер8005800332
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности2 W
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation3Вт
power - max2W
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFZT491
standard package nameSOT
стиль корпуса транзистораSOT-223
supplier device packageSOT-223
supplier packageSOT-223
tabTab
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 100mA, 1A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки0:08:44
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль