FZT489TA
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo | 50 V |
| collector-emitter saturation voltage | 0.6 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 30 V |
| configuration | Single |
| длина | 6.7 mm (Max) |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| factory pack quantity | 1000 |
| gain bandwidth product ft | 150 MHz |
| Высота | 1.65 м |
| height | 1.65 mm |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| length | 6.7 mm |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.1 100mA 1A |
| maximum collector base voltage (v) | 50 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.3 100mA 1A|0.6 200mA 2A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 30 |
| maximum dc collector current | 1 A |
| maximum dc collector current (a) | 1 |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating temperature | + 150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 3000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 150(Min) |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 100 1mA 2V|100 1A 2V|60 2A 2V|20 4A 2V |
| minimum operating temperature | - 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 30 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | SOT-223-4 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 2 W |
| pd - рассеивание мощности | 2 W |
| pin count | 4 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Transistors - BJT |
| product type | BJTs - Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 150 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| series | FZT489 |
| серия | FZT489 |
| standard package name | SOT |
| subcategory | Transistors |
| supplier package | SOT-223 |
| tab | Tab |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor polarity | NPN |
| type | NPN |
| unit weight | 0.003951 oz |
| упаковка / блок | SOT-223-4 |
| вес, г | 0.112 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Ширина | 3.7 м |
| width | 3.7 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26