FZT458TA, Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT458TA
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT NPN 400 В 0,3 А 3000 мВт 4-контактный (3 контакта) SOT-223 T / R
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberFZT458 ->
collector-emitter breakdown voltage400V
43
+
Бонус: 0.86 !
Бонусная программа
Итого: 43
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT NPN 400 В 0,3 А 3000 мВт 4-контактный (3 контакта) SOT-223 T / R
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberFZT458 ->
collector-emitter breakdown voltage400V
configurationSingle Dual Collector
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)300mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 50mA, 10V
длина6.7 mm (Max)
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
frequency - transition50MHz
Высота 1.65 м
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.3 A
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)0.9 5mA 50mA
maximum collector base voltage (v)400
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.2 2mA 20mA|0.5 6mA 50mA
maximum collector-emitter voltage (v)400
maximum dc collector current300mA
maximum dc collector current (a)0.3
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)3000
maximum transition frequency (mhz)50(Min)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain15 100mA 10V|100 1mA 10V|100 50mA 10V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)400 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.400 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток0.3 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation2W
pd - рассеивание мощности2 W
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max2W
ppapNo
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)50 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFZT458
standard package nameSOT-223
supplier device packageSOT-223
supplier packageSOT-223
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 6mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)400V
Ширина3.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль