FZT1149ATA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT1149ATA
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота1.65 mm
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор PNP 25V 4A 135MHz 2.5W Surface Mount SOT-223
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота1.65 mm
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberFZT1149 ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)4A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce250 @ 500mA, 2V
длина6.7 mm
eccnEAR99
frequency - transition135MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.270
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)270 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 195 at 2
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
maximum collector base voltage30 V
maximum collector emitter voltage-25 V
maximum dc collector current-4 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency135 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation2.5 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain250
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.25 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер230 mV
непрерывный коллекторный ток4 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package typeSOT-223(SC-73)
партномер8006124680
pd - рассеивание мощности2.5 W
pin count3+Tab
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max2.5W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)135 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFZT114
supplier device packageSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic350mV @ 140mA, 4A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)25V
Время загрузки0:08:55
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль