FZT1147ATA, Bipolar Transistors - BJT PNP -12V VCEO 5A High Gain Med PWR
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT1147ATA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP -12V VCEO 5A High Gain Med PWR
| Дата загрузки | 23.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.112 |
| Высота | 1.65 mm (Max) |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| base product number | FZT1147 -> |
| частота перехода ft | 115МГц |
| collector emitter voltage max | 12В |
| continuous collector current | 5А |
| current - collector cutoff (max) | 100nA |
| current - collector (ic) (max) | 5A |
| dc current gain hfe min | 150hFE |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 270 @ 10mA, 2V |
| dc усиление тока hfe | 150hFE |
| длина | 6.7 mm (Max) |
| eccn | EAR99 |
| frequency - transition | 115MHz |
| htsus | 8541.29.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 270 |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at 10 mA at 2 V, 250 at 0.5 A at 2 V, 200 at 2 |
| конфигурация | Single |
| квалификация | - |
| линейка продукции | - |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 15 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 12 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-261-4, TO-261AA |
| партномер | 8004841703 |
| pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| power dissipation | 3Вт |
| power - max | 2.5W |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 115 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| reach status | REACH Affected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | FZT114 |
| стиль корпуса транзистора | SOT-223 |
| supplier device package | SOT-223 |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor type | PNP |
| упаковка / блок | SOT-223-4 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 400mV @ 50mA, 5A |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 12V |
| Время загрузки | 0:08:57 |
| Ширина | 3.7 м |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
