FZT1051ATA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT1051ATA
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота1.65 mm
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 40V 5A 155MHz 2.5W Surface Mount SOT-223
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота1.65 mm
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberFZT1051 ->
collector-emitter breakdown voltage40V
current - collector cutoff (max)10nA
current - collector (ic) (max)5A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce270 @ 1A, 2V
длина6.7 mm
eccnEAR99
frequency - transition155MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.290
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40 at 10 A, 2 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора10 A
maximum collector base voltage150 V
maximum collector emitter voltage40 V
maximum dc collector current5A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency155 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation2.5 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain270
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)150 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер340 mV
непрерывный коллекторный ток5 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package typeSOT-223(SC-73)
партномер8005914319
pd - power dissipation2.5W
pd - рассеивание мощности2.5 W
pin count3+Tab
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max2.5W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)155 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFZT105
supplier device packageSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic340mV @ 100mA, 5A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Время загрузки0:08:16
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль