FZT1048ATA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Gain & Crnt

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT1048ATA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT1048ATA, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.11
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.11
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:350 mV
collector- emitter voltage vceo max:17.5 V
configuration:Single
continuous collector current:5 A
dc collector/base gain hfe min:50 at 20 A, 2 V
dc current gain hfe max:280
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:150 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:5 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-223-4
партномер8004585522
pd - power dissipation:3 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:FZT104
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:08:20
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль