Name: FSB660A, Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation
Brand: ON Semiconductor***
SKU: FSB660A

FSB660A, Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor FSB660A, Bipolar Transistors - BJT PNP ...

Подробное описание

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.03
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***

Все характеристики

130 ₽

– +

Бонус: 2.6 !

Бонусная программа

Итого: 130 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTTRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V, SOT-23-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:75MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.03
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
category	Bipolar Small Signal
частота перехода ft	75МГц
collector- base voltage vcbo:	60 V
collector-emitter saturation voltage:	300 mV
collector emitter voltage max	60В
collector- emitter voltage vceo max:	60 V
configuration	Single
configuration:	Single
continuous collector current	2А
continuous collector current:	2 A
dc collector/base gain hfe min:	250
dc current gain hfe max:	550
dc current gain hfe min	40hFE
dc усиление тока hfe	40hFE
emitter- base voltage vebo:	5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	3000
frequency	75(MHz)
gain bandwidth product ft:	75 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
количество выводов	3вывод(-ов)
квалификация	-
линейка продукции	-
максимальная рабочая температура	150°C
manufacturer:	onsemi
maximum dc collector current:	2 A
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
монтаж транзистора	Surface Mount
mounting	Surface Mount
mounting style:	SMD/SMT
number of elements	1
operating temperature classification	Military
operating temp range	-55C to 150C
output power	Not Required(W)
package/case:	SuperSOT-3
package type	SOT-23
packaging	Tape and Reel
партномер	8006405851
part # aliases:	FSB660A_NL
pd - power dissipation:	500 mW
pin count	3
полярность транзистора	PNP
power dissipation	0.5(W)
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
rad hardened	No
series:	FSB660A
стиль корпуса транзистора	SOT-23
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity	PNP
transistor polarity:	PNP
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Время загрузки	2:12:48

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)FSB660A