FQN1N50C

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor FQN1N50C
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.3
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементON Semiconductor FQN1N50CTA MOSFET
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.3
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
fall time:10 ns
forward transconductance - min:0.6 S
id - continuous drain current:380 mA
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
number of channels:1 Channel
package / case:TO-92-3
packaging:Ammo Pack
партномер8002983483
pd - power dissipation:890 mW
product:MOSFET Small Signal
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:6.4 nC
rds on - drain-source resistance:4.6 Ohms
rise time:10 ns
series:FQN1N50C
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
type:MOSFET
typical turn-off delay time:20 ns
typical turn-on delay time:10 ns
vds - drain-source breakdown voltage:500 V
vgs - gate-source voltage:-30 V, +30 V
vgs th - gate-source threshold voltage:2 V
Время загрузки0:45:20
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль