- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
ЭлектроэлементON Semiconductor FQN1N50CTA MOSFET
Дата загрузки | 21.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.3 |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
channel mode: | Enhancement |
configuration: | Single |
factory pack quantity: factory pack quantity: | 2000 |
fall time: | 10 ns |
forward transconductance - min: | 0.6 S |
id - continuous drain current: | 380 mA |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
manufacturer: | onsemi |
maximum operating temperature: | +150 C |
minimum operating temperature: | -55 C |
mounting style: | Through Hole |
number of channels: | 1 Channel |
package / case: | TO-92-3 |
packaging: | Ammo Pack |
партномер | 8002983483 |
pd - power dissipation: | 890 mW |
product: | MOSFET Small Signal |
product category: | MOSFET |
product type: | MOSFET |
qg - gate charge: | 6.4 nC |
rds on - drain-source resistance: | 4.6 Ohms |
rise time: | 10 ns |
series: | FQN1N50C |
subcategory: | MOSFETs |
technology: | Si |
transistor polarity: | N-Channel |
transistor type: | 1 N-Channel |
type: | MOSFET |
typical turn-off delay time: | 20 ns |
typical turn-on delay time: | 10 ns |
vds - drain-source breakdown voltage: | 500 V |
vgs - gate-source voltage: | -30 V, +30 V |
vgs th - gate-source threshold voltage: | 2 V |
Время загрузки | 0:45:20 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26