Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power

Подробное описание

130 ₽

– +

Бонус: 2.6 !

Бонусная программа

Итого: 130 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	3.05 mm
Высота	1 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	1.25 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	12 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	12 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
непрерывный коллекторный ток	1.25 A
pd - рассеивание мощности	500 mW (1/2 W)
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	205 MHz
размер фабричной упаковки	3000
серия	FMMTL
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	SOT-23-3
вес, г	0.008
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	1.4 мм

Отзывов нет

Кнопки

FMMTL717TA