FMMT6520TA, 50nA 350V 330mW 20@50mA,10V 500mA 50MHz 1V@50mA,5mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT6520TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FMMT6520TA, 50nA 350V 330mW 20@50mA,10V 500mA ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
88
+
Бонус: 1.76 !
Бонусная программа
Итого: 88
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP High Voltage
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberFMMT6520 ->
configurationSingle
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce20 @ 50mA, 10V
длина3.05 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition50MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.20 at 1 mA, 10 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)20 at 1 mA, 10 V, 30 at 10 mA, 10 V, 30 at 30 m
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)0.9 3mA 30mA|0.85 2mA 20mA|0.75 1mA 10mA
maximum collector base voltage (v)350
maximum collector-emitter saturation voltage (v)1 5mA 50mA|0.5 3mA 30mA|0.35 2mA 20mA|0.3 1mA 10mA
maximum collector-emitter voltage (v)350
maximum dc collector current (a)0.5
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)330
maximum transition frequency (mhz)50(Min)
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)350 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.350 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 V
непрерывный коллекторный ток0.5 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
packagingTape and Reel
партномер8017602034
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности330 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max330mW
ppapNo
product categoryBipolar Small Signal
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)50 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFMMT65
standard package nameSOT-23
supplier device packageSOT-23-3
supplier packageSOT-23
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typePNP
typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic1V @ 5mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)350V
Время загрузки22:30:38
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль