FMMT6517TA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT6517TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FMMT6517TA, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярный (BJT) транзистор NPN 350V 500mA 50MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberFMMT6517 ->
частота перехода ft50МГц
collector- base voltage vcbo:350 V
collector-emitter saturation voltage:1 V
collector- emitter voltage vceo max:350 V
configurationSingle
configuration:Single
continuous collector current:0.5 A
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain hfe max:20 at 1 mA, 10 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce20 @ 50mA, 10V
dc усиление тока hfe15hFE
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo:7 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
frequency - transition50MHz
gain bandwidth product ft:50 MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
квалификация-
lead shapeGull-wing
линейка продукции-
максимальная рабочая температура150°C
manufacturer:Diodes Incorporated
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)0.8 1mA 10mA|0.85 2mA 20mA|0.9 3mA 30mA
maximum collector base voltage (v)350
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.3 1mA 10mA|0.35 2mA 20mA|0.5 3mA 30mA|1 5mA 50mA
maximum collector-emitter voltage (v)350
maximum dc collector current:500 mA
maximum dc collector current (a)0.5
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating temperature:+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)350
maximum transition frequency (mhz)50(Min)
minimum operating temperature:-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package/case:SOT-23-3
packagingTape and Reel
партномер8004585519
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation:310 mW
pin count3
полярность транзистораNPN
power dissipation350мВт
power - max330mW
ppapNo
product categoryBipolar Small Signal
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
series:FMMT65
standard package nameSOT-23
стиль корпуса транзистораSOT-23
subcategory:Transistors
supplier device packageSOT-23-3
supplier packageSOT-23
technology:Si
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic1V @ 5mA, 50mA
voltage - collector emitter breakdown (max)350V
Время загрузки22:30:40
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль