FMMT634TA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Darlington TransistorsТранзисторы Дарлингтона NPN Darlington
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberFMMT634 ->
collector- base voltage vcbo120 V
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Darlington TransistorsТранзисторы Дарлингтона NPN Darlington
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberFMMT634 ->
collector- base voltage vcbo120 V
collector- emitter voltage vceo max100 V
configurationSingle
continuous collector current0.9 A
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)900mA
dc current gain hfe max20000
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce20000 @ 100mA, 5V
длина3.05 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo12 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity3000
frequency - transition140MHz
Высота 1 мм
htsus8541.21.0075
категория продуктаТранзисторы Дарлингтона
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.20000
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)20000 at 100 mA at 5 V, 15000 at 1 A at 5 V, 5000
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.9 A
максимальный ток отсечки коллектора0.01 uA
manufacturerDiodes Incorporated
maximum base emitter saturation voltage (v)1.65 5mA 1A
maximum collector base voltage (v)120
maximum collector cut-off current0.01 uA
maximum collector cut-off current (ua)0.01
maximum collector-emitter voltage (v)100
maximum continuous dc collector current (a)0.9
maximum dc collector current0.9 A
maximum emitter base voltage (v)12
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)625
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain20000 100mA 5V|15000 1A 5V|5000 2A 5V
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)12 V
напряжение коллектор-база (vcbo)120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
непрерывный коллекторный ток0.9 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-23
packagingCut Tape or Reel
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation625 mW
pd - рассеивание мощности625 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max625mW
ppapNo
product categoryDarlington Transistors
product typeDarlington Transistors
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesFMMT63
серияFMMT63
standard package nameSOT-23
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-23-3
supplier packageSOT-23
тип продуктаDarlington Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor polarityNPN
transistor typeNPN - Darlington
typeNPN
typical current gain bandwidth (mhz)140
упаковка / блокSOT-23
vce saturation (max) @ ib, ic960mV @ 5mA, 1A
вес, г0.01
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)100V
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль