FMMT624TA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FMMT624TA
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор, NPN, 125 В, 1 А
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:125 V
collector-emitter breakdown voltage125V
collector-emitter saturation voltage:165 mV
collector- emitter voltage vceo max:125 V
configuration:Single
continuous collector current:1 A
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:155 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum collector base voltage125 V
maximum collector emitter voltage125 V
maximum dc collector current1A
maximum dc collector current:1 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency155 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation625 mW
minimum dc current gain300
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / case:SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8007652285
pd - power dissipation625mW
pd - power dissipation:625 mW
pin count3
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:FMMT62
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
Время загрузки0:07:09
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль