FMMT620TA, Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 1,5А, 625мВт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT620TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FMMT620TA, Транзистор: NPN, биполярный, 80В ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 80V NPN SuperSOT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberFMMT620 ->
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1.5A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 200mA, 2V
длина3.05 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition160MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
materialSi
maximum base current (a)0.5
maximum base emitter saturation voltage (v)1@50mA@1.5A
maximum collector base voltage80 V
maximum collector base voltage (v)100
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector emitter voltage80 V
maximum collector-emitter voltage (v)80
maximum dc collector current1.5 A
maximum dc collector current (a)01.05.2024
maximum emitter base voltage6 V
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating frequency160 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation806 mW
maximum power dissipation (mw)806
maximum transition frequency (mhz)160(Typ)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain300
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер160 mV
непрерывный коллекторный ток1.5 A
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
packagingTape and Reel
партномер8002614658
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности625 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max625mW
ppapNo
product categoryBipolar Small Signal
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)160 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFMMT62
standard package nameSOT
supplier device packageSOT-23-3
supplier packageSOT-23
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic200mV @ 50mA, 1.5A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Время загрузки0:07:11
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль