FMMT619TA, Bipolar Transistors - BJT NPN SuperSOT
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT619TA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.05 |
| Высота | 1.1мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DiodesZetex |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| число контактов | 3 |
| collector- base voltage vcbo: | 50 V |
| collector-emitter breakdown voltage | 50V |
| collector-emitter saturation voltage: | 150 mV |
| collector- emitter voltage vceo max: | 50 V |
| configuration: | Single |
| continuous collector current: | 2 A |
| длина | 3мм |
| emitter- base voltage vebo: | 7 V |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 3000 |
| gain bandwidth product ft: | 165 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| количество элементов на ис | 1 |
| максимальная рабочая частота | 165 MHz |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| максимальное напряжение коллектор-база | 50 V |
| максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер) | 50 V |
| максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1 В |
| максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.22 V |
| максимальное рассеяние мощности | 0.625 W |
| максимальный пост. ток коллектора | 2 A |
| manufacturer: | Diodes Incorporated |
| maximum collector base voltage | 50 V |
| maximum collector emitter voltage | 50 V |
| maximum dc collector current | 2A |
| maximum dc collector current: | 2 A |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum operating frequency | 165 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum power dissipation | 625 mW |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| minimum dc current gain | 300 |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| mounting style: | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case: | SOT-23-3 |
| package type | SOT-23 |
| партномер | 8004841686 |
| pd - power dissipation | 625mW |
| pd - power dissipation: | 625 mW |
| pin count | 3 |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| размеры | 1.1 x 3 x 1.4мм |
| series: | FMMT619 |
| subcategory: | Transistors |
| technology: | Si |
| тип корпуса | SOT-23 |
| тип монтажа | Surface Mount |
| тип транзистора | NPN |
| transistor configuration | Одинарный |
| transistor polarity: | NPN |
| transistor type | NPN |
| Время загрузки | 22:30:47 |
| Ширина | 1.4 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
