FMMT593

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FMMT593
DiodesZetex
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.181
Высота1.1мм
Информация о производителе
ПроизводительDiodesZetex
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-200mV; Continuous Collector Current Ic Max:1A; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:250mA; Device Marking:MT593; Gain Bandwidth ft Min:50MHz; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:500mW; SMD Marking:593; Tape Width:8mm; Voltage Vcbo:120V
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.181
Высота1.1мм
Информация о производителе
ПроизводительDiodesZetex
БрендDIODES INC.
Основные
число контактов3
collector- base voltage vcbo-120 V
collector-emitter saturation voltage-300 mV
collector- emitter voltage vceo max-100 V
configurationSingle
длина3мм
emitter- base voltage vebo-5 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft50 MHz
height1.1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество элементов на ис1
length3 mm
максимальная рабочая частота50 MHz
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение эмиттер-база5 В
максимальное напряжение коллектор-база120 V
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер)100 В
максимальное напряжение насыщения база-эмиттер1,1 В
максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
максимальное рассеяние мощности500 мВт
максимальный пост. ток коллектора1 A
manufacturerDiodes Incorporated
maximum collector base voltage120 V
maximum collector emitter voltage100 V
maximum dc collector current1 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency50 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation500 mW
минимальная рабочая температура-55 °C
минимальный коэффициент усиления по постоянному току50
minimum dc current gain100
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / caseSOT-23-3
package typeSOT-23
packagingReel
партномер8001989000
pd - power dissipation0.5 W
pin count3
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
размеры1.1 x 3 x 1.4мм
rohsDetails
seriesFMMT593
subcategoryTransistors
тип корпусаSOT-23
тип монтажаSurface Mount
тип транзистораPNP
transistor configurationОдинарный
transistor polarityPNP
transistor typePNP
Время загрузки22:21:26
Ширина1.4 мм
width1.4 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль