Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Вес и габариты
длина
3.05 mm
Высота
1 мм
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
300 at 1 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
300 at 1 mA, 5 V, 300 at 100 mA, 5 V, 250 at 500
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
1 A
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.5 V
непрерывный коллекторный ток
1 A
pd - рассеивание мощности
500 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
150 MHz
размер фабричной упаковки
10000
серия
FMMT59
технология
Si
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Diodes Incorporated
упаковка / блок
SOT-23-3
вес, г
0.008
вид монтажа
SMD/SMT
Ширина
1.4 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26