FMMT591ATC

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Вес и габариты
длина3.05 mm
Высота 1 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Вес и габариты
длина3.05 mm
Высота 1 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300 at 1 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 1 mA, 5 V, 300 at 100 mA, 5 V, 250 at 500
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток1 A
pd - рассеивание мощности500 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки10000
серияFMMT59
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-23-3
вес, г0.008
вид монтажаSMD/SMT
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль