FMMT591ATA, Транзистор PNP, биполярный, 40В, 1А, 500мВт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT591ATA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FMMT591ATA, Транзистор PNP, биполярный, 40В ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
46
+
Бонус: 0.92 !
Бонусная программа
Итого: 46
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberFMMT591 ->
collector-emitter breakdown voltage40V
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 100mA, 5V
длина3.05 mm
eccnEAR99
frequency - transition150MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300 at 1 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 1 mA, 5 V, 300 at 100 mA, 5 V, 250 at 500
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
maximum collector base voltage40 V
maximum collector emitter voltage-40 V
maximum dc collector current1A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency150 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation500 mW
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain300
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток1 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8017544669
pd - power dissipation500mW
pd - рассеивание мощности500 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max500mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFMMT59
supplier device packageSOT-23-3
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 100mA, 1A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Время загрузки21:56:29
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль