FMMT560TC, Bipolar Transistors - BJT PNP HighV 500V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT560TC
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FMMT560TC, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:500 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:500 V
configuration:Single
continuous collector current:-150 mA
dc collector/base gain hfe min:15
dc current gain hfe max:100 at 1 mA, 10 V
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
gain bandwidth product ft:60 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:150 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8004841679
pd - power dissipation:500 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:FMMT56
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки22:31:38
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль