FMMT555TC, Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT555TC
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FMMT555TC, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:160 V
collector-emitter saturation voltage:300 mV
collector- emitter voltage vceo max:150 V
configuration:Single
continuous collector current:-1 A
dc collector/base gain hfe min:50 at 10 mA, 10 V, 50 at 300 mA, 10 V
dc current gain hfe max:50 at 10 mA, 10 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:1 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8004841676
pd - power dissipation:500 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:FMMT55
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки22:31:43
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль