FMMT555TA, Diodes Incorporated

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT555TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FMMT555TA, Diodes Incorporated
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
47
+
Бонус: 0.94 !
Бонусная программа
Итого: 47
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:160 V
collector-emitter saturation voltage:300 mV
collector- emitter voltage vceo max:150 V
configuration:Single
continuous collector current:-1 A
dc collector/base gain hfe min:50 at 10 mA, 10 V, 50 at 300 mA, 10 V
dc current gain hfe max:50 at 10 mA, 10 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum collector base voltage-160 V
maximum collector emitter voltage150 V
maximum dc collector current1 A
maximum dc collector current:1 A
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation500 mW
minimum dc current gain50
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / case:SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8003615297
pd - power dissipation:500 mW
pin count3
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:FMMT55
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
Время загрузки21:56:06
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль