Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT SSMidPerfTranstr

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	20

110 ₽

– +

Бонус: 2.2 !

Бонусная программа

Итого: 110 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	20
конфигурация	Single
квалификация	AEC-Q101
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	1 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	140 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	120 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	300 mV
непрерывный коллекторный ток	1 A
pd - рассеивание мощности	500 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	100 MHz
размер фабричной упаковки	10000
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	SOT-23-3
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Кнопки

FMMT494QTC