Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power

Подробное описание

Вес и габариты
длина:	3 mm
категория продукта:	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация:	Single

Все характеристики

110 ₽

– +

Бонус: 2.2 !

Бонусная программа

Итого: 110 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
длина:	3 mm
категория продукта:	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация:	Single
максимальная рабочая температура:	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора:	1 A
минимальная рабочая температура:	- 55 C
напряжение эмиттер-база (vebo):	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo):	120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:	100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	600 mV
непрерывный коллекторный ток:	1 A
pd - рассеивание мощности:	500 mW
подкатегория:	Transistors
полярность транзистора:	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):	150 MHz
производитель:	Diodes Incorporated
размер фабричной упаковки:	10000
серия:	FMMT49
ширина:	1.4 mm
технология:	Si
тип продукта:	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:	Diodes Incorporated
упаковка / блок:	SOT-23-3
вес, г	0.008
вид монтажа:	SMD/SMT
высота:	1.1 mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

FMMT493TC