FMMT493TA, Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT493TA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.031 |
| Высота | 1.1 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DiodesZetex |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| число контактов | 3 |
| collector-emitter breakdown voltage | 100V |
| длина | 3 mm |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| количество элементов на ис | 1 |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая частота | 150 MHz |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| максимальное напряжение коллектор-база | 120 V |
| максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер) | 100 В |
| максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.15 V |
| максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В |
| максимальное рассеяние мощности | 500 мВт |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| максимальный пост. ток коллектора | 1 A |
| maximum collector base voltage | 120 V |
| maximum collector emitter voltage | 100 V |
| maximum dc collector current | 1A |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum operating frequency | 150 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum power dissipation | 500 mW |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 20 |
| minimum dc current gain | 100 |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 120 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 100 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package type | SOT-23 |
| партномер | 8004841669 |
| pd - power dissipation | 500mW |
| pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 150 MHz |
| размеры | 1.1 x 3 x 1.4мм |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| серия | FMMT493 |
| технология | Si |
| тип корпуса | SOT-23 |
| тип монтажа | Surface Mount |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| тип транзистора | NPN |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor configuration | Одинарный |
| transistor type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 22:31:47 |
| Ширина | 1.4 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![КИПД43Б-2Л светодиодный индикатор "вольтажный" зеленый, 45мм, 60", 2.5мКд, 12В](/wa-data/public/shop/products/11/87/18711/images/25623/25623.300x0.jpg "КИПД43Б-2Л светодиодный индикатор "вольтажный" зеленый, 45мм, 60", 2.5мКд, 12В")
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
