FMMT491QTA, Транзистор: NPN; биполярный
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT491QTA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT SS Mid-Perf Transistor
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.02 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo | 80 V |
| collector-emitter saturation voltage | 160 mV |
| collector- emitter voltage vceo max | 60 V |
| configuration | Single |
| dc collector/base gain hfe min | 100 |
| dc current gain hfe max | 300 |
| emitter- base voltage vebo | 7 V |
| factory pack quantity | 3000 |
| gain bandwidth product ft | 150 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 300 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| конфигурация | Single |
| квалификация | AEC-Q101 |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| maximum dc collector current | 1 A |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 7 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 80 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 60 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 160 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| package / case | SOT-23-3 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| партномер | 8017546595 |
| pd - power dissipation | 500 mW |
| pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 150 MHz |
| qualification | AEC-Q101 |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| subcategory | Transistors |
| technology | Si |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor polarity | NPN |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 22:32:20 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
