FMMT491ATA, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А, 0.5Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT491ATA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FMMT491ATA, Биполярный транзистор, NPN, 40 В ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота1.1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
19
+
Бонус: 0.38 !
Бонусная программа
Итого: 19
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А, 0.5Вт
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота1.1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
Корпусsot-23
base product numberFMMT491A ->
collector- base voltage vcbo40 V
collector-emitter saturation voltage0.5 V
collector- emitter voltage vceo max40 V
configurationSingle
continuous collector current1 A
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain hfe max300 at 1 mA, 5 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 500mA, 5V
длина3 mm
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity3000
frequency - transition150MHz
gain bandwidth product ft150 MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300 at 1 mA at 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 1 mA at 5 V, 300 at 500 mA at 5 V, 200 at 1
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
manufacturerDiodes Incorporated
maximum collector base voltage40 V
maximum collector emitter voltage40 V
maximum dc collector current1 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency150 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation500 mW
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain300
minimum operating temperature-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток1 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
packagingCut Tape or Reel
партномер8001717123
pd - power dissipation500 mW
pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max500mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesFMMT491
серияFMMT491
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-23-3
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 100mA, 1A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Время загрузки22:06:33
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль