FMMT458TA, NPN SMD transistors

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT458TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FMMT458TA, NPN SMD transistors
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.197
Высота1.1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
24
+
Бонус: 0.48 !
Бонусная программа
Итого: 24
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
транзисторы биполярные импортные High Voltage Transistors, Diodes Inc.
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.197
Высота1.1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
СтруктураNPN
БрендDIODES INC.
Основные
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В400
КорпусSOT-23-3
automotiveNo
base product numberFMMT458 ->
collector-emitter breakdown voltage400V
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)225mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 50mA, 10V
длина3 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition50MHz
hts8541.29.00.95
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальная рассеиваемая мощность ,вт0.5
максимально допустимый ток к ( iк макс.а)0.225
максимальный постоянный ток коллектора0.225 A
макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(uкэо макс),в400
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)0.9@5mA@50mA
maximum collector base voltage400 V
maximum collector base voltage (v)400
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.5@6mA@50mA|0.2@2mA@20mA
maximum collector emitter voltage400 V
maximum collector-emitter voltage (v)400
maximum dc collector current225mA
maximum dc collector current (a)0.225
maximum emitter base voltage5 V
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating frequency50 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation500 mW
maximum power dissipation (mw)500
maximum transition frequency (mhz)50(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100@50mA@10V|100@1mA@10V|15@100mA@10V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)400 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.400 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
непрерывный коллекторный ток0.225 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package height0.98
package length02.09.2024
package typeSOT-23
package width01.03.2024
packagingTape and Reel
партномер8020242854
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation500mW
pd - рассеивание мощности500 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max500mW
product categoryBipolar Small Signal
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)50 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFMMT458
standard package nameSOT-23
статический коэффициент передачи тока hfe мин100
supplier device packageSOT-23-3
supplier packageSOT-23
supplier temperature gradeAutomotive
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 6mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)400V
Время загрузки22:06:45
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль