FMMT455TA, Trans GP BJT NPN 140V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT455TA
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage
Вес и габариты
base product numberFMMT455 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
16
+
Бонус: 0.32 !
Бонусная программа
Итого: 16
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage
Вес и габариты
base product numberFMMT455 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 10V
длина3 mm
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
Высота 1.1 мм
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)160 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.140 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.7 V
непрерывный коллекторный ток1 A
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max500mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFMMT45
supplier device packageSOT-23-3
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic700mV @ 15mA, 150mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)140V
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль