FMMT417TD, Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT417TD
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FMMT417TD, Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
2 870
+
Бонус: 57.4 !
Бонусная программа
Итого: 2 870
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:320 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:100 V
configuration:Single
continuous collector current:500 mA
dc collector/base gain hfe min:25 at 10 mA, 10 V
dc current gain hfe max:25 at 10 mA, 10 V
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:500
gain bandwidth product ft:40 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8004841660
pd - power dissipation:500 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:FMMT41
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:07:25
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль