FMMT416TD, Bipolar Transistors - BJT Avalanche Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT416TD
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FMMT416TD, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
3 060
+
Бонус: 61.2 !
Бонусная программа
Итого: 3 060
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:315 V
collector-emitter saturation voltage:100 mV
collector- emitter voltage vceo max:100 V
configuration:Single
continuous collector current:500 mA
dc collector/base gain hfe min:100 at 10 mA, 10 V
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:500
gain bandwidth product ft:40 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8005059824
pd - power dissipation:500 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:07:27
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль