FMMT415TD, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 500 мА, 500 мВт, SOT-23, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT415TD
Биполярные транзисторы - BJT NPN Avalanche
Вес и габариты
длина3 mm
Высота 1.1 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
1 710
+
Бонус: 34.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 710
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN Avalanche
Вес и габариты
длина3 mm
Высота 1.1 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.25 at 10 mA at 10 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25 at 10 mA at 10 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)260 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток0.5 A
pd - рассеивание мощности330 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)40 MHz
размер фабричной упаковки500
серияFMMT41
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-23-3
вес, г0.2
вид монтажаSMD/SMT
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль