FMMT413TD, Diodes Inc FMMT413TD NPN Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FMMT413TD
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN Avalanche
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo | 150 V |
| collector-emitter saturation voltage | 150 mV |
| collector- emitter voltage vceo max | 50 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 0.1 A |
| dc collector/base gain hfe min | 50 at 10 mA, 10 V |
| dc current gain hfe max | 50 at 10 mA, 10 V |
| длина | 3.05 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 6 V |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity | 500 |
| gain bandwidth product ft | 150 MHz |
| Высота | 1 мм |
| hts | 8541.29.00.95 |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 50 at 10 mA, 10 V |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 10 mA, 10 V |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.8@1mA@10mA |
| maximum collector base voltage (v) | 150 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.15@1mA@10mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 50 |
| maximum dc collector current | 0.1 A |
| maximum dc collector current (a) | 0.1 |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 500 |
| maximum transition frequency (mhz) | 150(Typ) |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 50@10mA@10V |
| minimum operating temperature | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 150 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | SOT-23-3 |
| package height | 0.98 |
| package length | 2.9 |
| package width | 1.3 |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 330 mW |
| pd - рассеивание мощности | 330 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| product category | Bipolar Small Signal |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 150 MHz |
| размер фабричной упаковки | 500 |
| series | FMMT41 |
| серия | FMMT41 |
| standard package name | SOT-23 |
| subcategory | Transistors |
| supplier package | SOT-23 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor polarity | NPN |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Ширина | 1.4 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26