- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Дата загрузки | 20.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.4 |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
частота перехода ft | 50МГц |
collector- base voltage vcbo | -120 V |
collector- base voltage vcbo: | 120 V |
collector-emitter saturation voltage | -300 mV |
collector-emitter saturation voltage: | 300 mV |
collector emitter voltage max | 120В |
collector- emitter voltage vceo max | -120 V |
collector- emitter voltage vceo max: | 120 V |
configuration | Single |
configuration: | Single |
continuous collector current | -0.05 A |
continuous collector current: | -50 mA |
dc collector/base gain hfe min | 200 |
dc collector/base gain hfe min: | 200 |
dc current gain hfe max | 800 |
dc current gain hfe max: | 800 |
dc current gain hfe min | 300hFE |
dc усиление тока hfe | 300hFE |
emitter- base voltage vebo | -5 V |
emitter- base voltage vebo: | 5 V |
factory pack quantity | 3000 |
factory pack quantity: factory pack quantity: | 3000 |
gain bandwidth product ft | 50 MHz |
gain bandwidth product ft: | 50 MHz |
height | 0.93 mm |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
количество выводов | 3вывод(-ов) |
length | 2.92 mm |
максимальная рабочая температура | 150°C |
manufacturer | ON Semiconductor |
manufacturer: | onsemi |
maximum collector base voltage | -120 V |
maximum collector emitter voltage | 120 V |
maximum dc collector current | 0.05 A |
maximum dc collector current: | 50 mA |
maximum emitter base voltage | -5 V |
maximum operating frequency | 50 MHz |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum operating temperature: | +150 C |
maximum power dissipation | 300 mW |
minimum dc current gain | 300 |
minimum operating temperature | -55 C |
монтаж транзистора | Surface Mount |
mounting style | SMD/SMT |
mounting style: | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
number of elements per chip | 1 |
package / case | SOT-23-3 |
package / case: | SOT-23-3 |
package type | SOT-23 |
packaging | Cut Tape or Reel |
партномер | 8017549903 |
pd - power dissipation | 300 mW |
pd - power dissipation: | 300 mW |
pin count | 3 |
полярность транзистора | PNP |
power dissipation | 300мВт |
product category | Bipolar Transistors-BJT |
product category: | Bipolar Transistors-BJT |
product type | BJTs-Bipolar Transistors |
product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
rohs | Details |
series | FJV992 |
series: | FJV992 |
стиль корпуса транзистора | SOT-23 |
subcategory | Transistors |
subcategory: | Transistors |
technology: | Si |
transistor configuration | Single |
transistor polarity | PNP |
transistor polarity: | PNP |
transistor type | PNP |
уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
Время загрузки | 0:13:57 |
width | 1.3 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26