FJV42MTF, Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FJV42MTF
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor FJV42MTF, Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 350mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
11
+
Бонус: 0.22 !
Бонусная программа
Итого: 11
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage Transistor
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft50МГц
collector emitter voltage max350В
continuous collector current500мА
dc current gain hfe min25hFE
dc усиление тока hfe25hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)350 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.350 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток500 mA
партномер8003328664
pd - рассеивание мощности350 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation350мВт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)50 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияFJV42MTF
стиль корпуса транзистораSOT-23
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокSOT-23-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:16:40
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль