FJP5555TU, Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FJP5555TU
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor FJP5555TU, Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.08.2024
Высота9.4 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
330
+
Бонус: 6.6 !
Бонусная программа
Итого: 330
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Silicon
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.08.2024
Высота9.4 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина10.1 mm (Max)
другие названия товара №FJP5555TU_NL
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.40
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)20
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)14 V
напряжение коллектор-база (vcbo)1.05 kV
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.400 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток5 A
партномер8004584608
pd - рассеивание мощности75 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки1000
серияFJP5555
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:46:46
Ширина4.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль