FJI5603DTU, Транзистор: NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FJI5603DTU
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor FJI5603DTU, Транзистор: NPN
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.54
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
540
+
Бонус: 10.8 !
Бонусная программа
Итого: 540
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
FJI5603D: NPN Silicon Transistor Wide Safe Operating Area Small Variance in Storage Time Built-in Free Wheeling Diode
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.54
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:1.6 kV
collector-emitter saturation voltage:1.2 V
collector- emitter voltage vceo max:800 V
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:20
dc current gain hfe max:20
emitter- base voltage vebo:12 V
factory pack quantity: factory pack quantity:50
gain bandwidth product ft:5 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum collector emitter voltage800 V
maximum dc collector current:3 A
maximum emitter base voltage12 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation100 W
minimum dc current gain20
mounting style:SMD/SMT
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package / case:I2PAK-3
package typeTO-262
packaging:Tube
партномер8021309212
pd - power dissipation:100 W
pin count3+Tab
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:FJI5603D
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
Время загрузки0:56:11
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль