Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTFJI5603D: NPN Silicon Transistor Wide Safe Operating Area Small Variance in Storage Time Built-in Free Wheeling Diode
Дата загрузки
21.02.2024
Вес и габариты
вес, г
02.08.2024
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:
1.6 kV
collector-emitter saturation voltage:
1.2 V
collector- emitter voltage vceo max:
800 V
configuration:
Single
dc collector/base gain hfe min:
20
dc current gain hfe max:
20
emitter- base voltage vebo:
12 V
factory pack quantity: factory pack quantity:
50
gain bandwidth product ft:
5 MHz
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:
onsemi
maximum collector emitter voltage
800 V
maximum dc collector current:
3 A
maximum emitter base voltage
12 V
maximum operating temperature
+150 °C
maximum operating temperature:
+150 C
maximum power dissipation
100 W
minimum dc current gain
20
mounting style:
SMD/SMT
mounting type
Through Hole
number of elements per chip
1
package / case:
I2PAK-3
package type
TO-262
packaging:
Tube
партномер
8004834179
pd - power dissipation:
100 W
pin count
3+Tab
product category:
Bipolar Transistors-BJT
product type:
BJTs-Bipolar Transistors
series:
FJI5603D
subcategory:
Transistors
technology:
Si
transistor configuration
Single
transistor polarity:
NPN
transistor type
NPN
Время загрузки
0:56:13
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26