FJD5553TM, Bipolar Transistors - BJT High Volt Fast Switching Trans

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FJD5553TM
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor FJD5553TM, Bipolar Transistors - BJT High ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.26
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTHigh Voltage Fast Switching Transistorsonsemi's high voltage fast switching transistors are bipolar junction transistors that provide ultra-fast switching speeds and low saturation voltage. The FJD5555 offers saturation voltage as low as 0.5V and the FJD5553 as low as 0.23V. The energy-efficient transistors feature a high breakdown voltage of 1050V and are packed in space-conserving 64mm2 DPAK packaging. The devices are ideal for electronic ballast, power supply, and industrial designs.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.26
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:1.05 kV
collector-emitter saturation voltage:230 mV
collector- emitter voltage vceo max:400 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:14 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:3 A
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:DPAK-3
партномер8004673938
pd - power dissipation:1.25 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:FJD5553
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:56:17
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль