FFB5551, Транзистор: NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FFB5551
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor FFB5551, Транзистор: NPN
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
dc ток коллектора200мА
dc усиление тока hfe30hFE
длина2 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.250
количество выводов6вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)180 V
напряжение коллектор-эмиттер160В
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.160 V
непрерывный коллекторный ток200 mA
партномер8017549919
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
рассеиваемая мощность200мВт
размер фабричной упаковки3000
серияFFB5551
стиль корпуса транзистораSC-70
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокSC-70-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:03:01
Ширина1.25 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль