FFB5551, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 160 В, 200 мА, 200 мВт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FFB5551
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor FFB5551, Массив биполярных транзисторов ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
dc ток коллектора200мА
dc усиление тока hfe30hFE
длина2 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.250
количество выводов6вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура150°C
максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)180 V
напряжение коллектор-эмиттер160В
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.160 V
непрерывный коллекторный ток200 mA
партномер8003073777
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораДвойной NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
рассеиваемая мощность200мВт
размер фабричной упаковки3000
серияFFB5551
стиль корпуса транзистораSC-70
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокSC-70-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:03:01
Ширина1.25 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль